LAS VEGAS – 3. Januar 2023 – onsemi (Nasdaq: ON), ein führender Anbieter intelligenter Leistungselektronik und Sensorik, benennt seine Siliziumkarbid-/SiC-Bausteine nun „EliteSiC“. Das Unternehmen stellt auf der Consumer Electronics Show (CES) in Las Vegas drei neue Mitglieder der Reihe vor: den 1700-V-EliteSiC-MOSFET und zwei 1700-V-Avalanche-taugliche EliteSiC-Schottky-Dioden. Die neuen Bauelemente arbeiten zuverlässig und hocheffizient in Energieinfrastrukturen und industriellen Antrieben. Sie unterstreichen die Position von onsemi als führender Anbieter industrieller SiC-Lösungen.
Mit dem 1700-V-EliteSiC-MOSFET (NTH4L028N170M1) bietet onsemi SiC-Bauelemente mit höherer Durchbruchsspannung (BV; Breakdown Voltage), wie sie für industrielle Hochleistungsanwendungen erforderlich sind. Die beiden EliteSiC-Schottky-Dioden (NDSH25170A, NDSH10170A) mit einer Avalanche-Spannung von 1700 V ermöglichen einen stabilen Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen und bieten gleichzeitig den durch SiC einhergehenden höheren Wirkungsgrad.
„Die neuen 1700-V-EliteSiC-Bauelemente bieten einen erstklassigen Wirkungsgrad bei reduzierter Verlustleistung und unterstreichen damit die hohen Standards bei Leistungsfähigkeit und Qualität unserer EliteSiC-Reihe“, erklärte Simon Keeton, Executive Vice President und General Manager der Power Solutions Group bei onsemi. „Zusammen mit unseren umfassenden SiC-Fertigungskapazitäten bieten wir die Technologie und Liefersicherheit, um die Anforderungen industrieller Energieinfrastrukturen und Antriebe zu erfüllen.“
Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien gehen zu immer höheren Spannungen über. Solarsysteme zum Beispiel auf 1100- bis 1500-V-DC-Busse. Um diesen Übergang zu unterstützen, sind MOSFETs mit einer höheren BV erforderlich. Der neue 1700-V-EliteSiC-MOSFET bietet eine maximale UGS-Spanne von -15 bis 25 V, wodurch er sich für schnelles Schalten eignet, bei dem die Gate-Spannungen auf -10 V ansteigen, was zu einer höheren Systemzuverlässigkeit führt.
Bei einer Testbedingung von 1200 V bei 40 A erreicht der 1700-V-EliteSiC-MOSFET eine Gate-Ladung (Qg) von 200 nC. Im Vergleich zu äquivalenten Bauteilen anderer Anbieter, die näher bei 300 nC liegen, ist dies marktführend. Eine niedrige Qg ist entscheidend für einen hohen Wirkungsgrad in schnell schaltenden Hochleistungsanwendungen für erneuerbare Energien.
Mit einem BV-Nennwert von 1700 V bieten die EliteSiC-Schottky-Dioden einen verbesserten Spielraum zwischen der maximalen Sperrspannung (URRM) und der wiederkehrenden Spitzensperrspannung der Diode. Die neuen Bauelemente bieten auch eine hervorragende Leckstrom-Performance in Sperrrichtung mit einem maximalen Sperrstrom (IR) von nur 40 µA bei 25 °C und 100 µA bei 175 °C. Die ist deutlich besser als bei anderen Lösungen des Wettbewerbs, die oft mit 100 µA bei 25 °C bewertet werden.
Weitere Informationen über die EliteSiC-Lösungen unteronsemi.com oder auf der CES 2023 in Las Vegas, Nevada, vom 5. bis 8. Januar 2023.
Über onsemi
onsemi (Nasdaq: ON) treibt bahnbrechende Innovationen voran, um eine bessere Zukunft zu schaffen. Mit seinem Fokus auf die Märkte Automotive und Industrie beschleunigt das Unternehmen den Wandel bei Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. onsemi bietet ein hochdifferenziertes und innovatives Produktangebot, das intelligente Leistungselektronik und Sensortechnik bereitstellt, um selbst komplexe Herausforderungen zu lösen und den Weg zu einer sichereren, saubereren und intelligenteren Welt zu ebnen. onsemi ist als Fortune-500®-Unternehmen anerkannt und im S&P-500®-Index enthalten. Weitere Informationen unter www.onsemi.com.
